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测量的积分时间MAPbI3为0.001s，力中PbI2为2s，并且PbI2的光致发光强度都被放大了50倍。以PbI2为前驱体和模板，长期在不同的衬底上得到了不同厚度、六边形的钙钛矿纳米片。

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例如，本正对于MAPbI3纳米片，本正蒸发区温度为130℃，生长区温度为90℃，逆转化温度为130℃，而对于FAPbI3纳米片，蒸发区温度为150℃，生长区温度为95℃，逆转化温度为150℃。同时，江电交易团队实现了多种平面型异质结。

力中b）与（a）中对应纳米片的相应光致发光（PL）光谱。

长期红色箭头表示PbI2与钙钛矿纳米片之间的可逆转换。相关超导体FeSe的DW中不存在此签名，合同该超导体不在拓扑阶段。

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